ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
36
2. Снятие стоко-затворной характеристики
а
)
Откройте
файл
(
рис
. 3.5)
и
включите
схему
.
Снимите
стоко
-
затворные
характеристики
полевого
транзистора
: I
c
= f(U
си
), U
зи
= const.
Уста
-
новите
U
си
= 10
В
,
и
снимите
показания
приборов
при
этом
значении
для
U
зи
и
I
с
.
б
)
В
соответствии
с
полученными
данными
постройте
стоко
-
затворные
характеристики
полевого
транзистора
.
3. Вычисление крутизны стоко-затворной характеристики
Определите
крутизну
стоко
-
затворной
характеристики
по
формуле
зи
c
dU
dI
S = .
при
U
си
= const.
Типичные
значения
параметров
транзисторов
:
U
зи
= 0,8 – 10
В
–
напряжение
отсечки
;
R
i
= 0,02 – 0,5
МОм
–
внутреннее
сопротивление
транзистора
;
S = 0,3 – 7
мА
/
В
–
крутизна
стоко
-
затворной
характеристики
;
R
вх
= 108 – 109
Ом
–
входное
сопротивление
транзистора
;
С
из
=
С
си
= 6 - 20
пФ
,
С
зс
= 2 – 8
пФ
–
межелэктродные
емкости
.
Контрольные вопросы
1.
Чем
обусловлено
название
полевых
транзисторов
?
2.
Чем
объясняется
управляющие
свойства
полевых
транзисторов
с
p-n-
переходом
?
3.
В
чем
различие
полевых
транзисторов
транзисторов
с
p-n –
переходом
и
МДП
-
транзисторов
?
4.
Каковы
основные
параметры
полевых
транзисторов
с
p-n-
переходом
?
5.
Что
такое
режим
обеднения
и
режим
обогащения
в
МДП
-
транзисторах
?
6.
Каковы
преимущества
МДП
-
транзисторов
перед
биполярными
транзисторами
?
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- …
- следующая ›
- последняя »
