ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
38
Рабочая
точка
в
статическом
режиме
задается
током
базы
и
напряжением
на
коллекторе
.
Она
определяется
точкой
пересечения
нагрузочной
прямой
и
вы
-
ходной
характеристики
транзистора
.
Базовый
ток
транзистора
определяется
как
ток
через
сопротивление
в
цепи
базы
Е
В
(
см
.
рис
. 4.1):
Б
БЭОK
Б
R
UE
I
−
= .
Ток
коллектора
вычисляется
по
формуле
:
БDCK
II
⋅
β
=
.
Напряжение
коллектор
-
эмиттер
определяется
из
уравнения
нагрузочной
прямой
:
KKKКЭ
RIEU
⋅
−
=
.
В
режиме
отсечки
ток
коллектора
равен
нулю
и
не
создает
на
резисторе
R
К
падения
напряжения
.
Следовательно
,
напряжение
U
КЭ
максимально
и
равно
напряжению
источника
питания
Е
К
.
Ток
коллектора
с
учетом
тепловых
токов
определяется
из
следующего
выражения
:
(
)
(
)
БКБОDCБDCКБОDCБDCКЭОK
IIII1III
+
⋅
β
≈
⋅
β
+
⋅
+
β
=
⋅
β
+
=
,
где
I
КЭО
, I
КБО
–
обратные
токи
переходов
коллектор
-
эмиттер
и
коллектор
-
база
соответственно
.
Коэффициент
нестабильности
тока
коллектора
(S)
из
-
за
влияния
тепловых
токов
в
схеме
определяется
как
DCDC
КБО
K
1
dI
dI
S β≈β+== .
Как
следует
из
этого
выражения
,
при
рассматриваемом
способе
задания
тока
базы
коэффициент
нестабильности
зависит
от
статического
коэффициен
-
та
передачи
,
который
для
транзисторов
одного
и
того
же
типа
может
сильно
различаться
.
2. Задание тока базы NPN-транзистора с помощью делителя напря-
жения
Схема
задания
тока
базы
NPN
транзистора
с
помощью
делителя
напряже
-
ния
в
каскаде
с
общим
эмиттером
представлена
на
рис
. 4.2.
Аналогично
пунк
-
ту
1,
рассмотрим
режимы
насыщения
,
усиления
и
отсечки
.
Ток
коллектора
в
режиме
насыщения
описывается
следующим
выражением
:
ЭK
K
КН
RR
E
I
+
≈ .
Независимо
от
сопротивления
резисторов
R
1
и
R
2
делителя
напряжения
ток
насыщения
базы
определяется
из
выражения
R
Б
+
Е
К
R
К
Рис. 4.1. Схема транзисторного
каскада с общим эмиттером
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- …
- следующая ›
- последняя »
