ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
40
прямой
и
выходной
характеристики
транзистора
.
При
известных
значениях
сопротивлений
R
1
и
R
2
ток
базы
транзистора
равен
ЭКВ
БЭОБ
Б
R
UU
I
−
=
где
U
Б
–
напряжение
на
базе
транзистора
.
Если
R
Э
>> R
2
,
то
21
2
КБ
RR
R
EU
+
⋅= ,
21
21
ЭКВ
RR
RR
R
+
⋅
= .
Ток
эмиттера
определяется
по
падению
напряжения
на
сопротивлении
R
Э
в
цепи
эмиттера
и
вычисляется
как
разность
потенциалов
:
Э
БЭОБ
Э
R
UU
I
−
= .
Значение
напряжения
коллектор
-
эмиттер
U
КЭ
вычисляется
по
закону
Кирхго
-
фа
:
U
КЭ
= E
К
– I
К
R
К
– I
Э
R
Э.
Коэффициент
нестабильности
тока
коллектора
(S)
из
-
за
влияния
тепловых
токов
в
схеме
при
условии
,
что
U
Э
> U
БЭО
определяется
как
( )
Э
Б
БЭЭDC
DC
КБО
K
R
R
1
RRR1
1
dI
dI
S +=
+⋅β+
β
+
== ,
где
21
21
Б
RR
RR
R
+
⋅
= .
Как
следует
из
этого
выражения
,
при
данном
способе
задания
тока
базы
коэффициент
нестабильности
определяется
элементами
схемы
и
практически
не
зависит
от
характеристик
транзистора
,
что
улучшает
стабильность
рабочей
точки
.
3. Задание тока базы PNP-транзистора с помощью делителя
напряжения
Схема
задания
тока
базы
с
помощью
делителя
напряжения
в
каскаде
с
общим
эмиттером
на
PNP-
транзисторе
представлена
на
рис
. 4.3.
Для
данной
схемы
справедливы
выражения
,
приведенные
в
предыдущем
пункте
для
схемы
с
NPN-
транзистором
,
со
следующей
поправкой
:
полярность
напряжений
и
направления
токов
нужно
поменять
на
обратные
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »
