ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
41
4. Задание тока базы с помощью дополнительного источника в цепи
эмиттера
Схема
задания
тока
базы
с
помощью
дополнительного
источника
в
цепи
эмиттера
в
каскаде
с
общим
эмиттером
на
NPN-
транзисторе
представлена
на
рис
. 4.4.
Ток
коллектора
в
режиме
насыщения
равен
ЭК
ЭK
KH
RR
EE
I
+
+
≈ .
Ток
коллектора
в
усилительном
режиме
описывается
уравнением
нагрузочной
прямой
К
ЭЭЭK
K
R
RIEE
I
⋅
−
+
= .
Напряжение
на
базе
транзистора
UB
определяется
из
следующего
выражения
:
U
Б
= I
Э
R
Э
– E
Э
+ U
БЭО.
Это
же
напряжение
равно
падению
напряжения
на
резисторе
Е
В
U
Б
= – I
Б
·R
Б.
Ток
эмиттера
вычисляется
по
падению
напряжения
на
сопротивлении
R
Э
:
Э
ЭБЭОЭ
Э
ЭЭ
Э
R
EUU
R
EU
I
+
−
=
−
= .
U
Б
имеет
отрицательное
значение
.
Ток
коллектора
связан
с
током
эмиттера
следующим
выражением
:
I
K
= I
Э
– I
Б
= I
Э.
R
1
–
Е
К
R
К
R
2
R
Э
0
Рис. 4.3. Схема задания тока базы
с помощью делителя напряжения в
каскаде с общим эмиттером
на PNP-транзисторе
Рис. 4.4. Схема задания тока ба-
зы с помощью дополнительного ис-
точника в цепи эмиттера в каскаде с
общим эмиттером на
NPN-транзисторе
+
Е
К
R
К
R
Э
R
Б
Е
Э
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
