ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
39
DC
КН
БИ
I
I
β
= ,
а
напряжение
U
Б
на
базе
равно
:
БЭО
KЭ
Э
KБ
U
RR
R
EU +
+
⋅= .
Это
же
напряжение
задается
делите
-
лем
напряжения
.
Зная
Е
К
и
U
Б
,
можно
оп
-
ределить
отношение
сопротивлений
плеч
делителя
:
Б
БК
2
1
U
UE
R
R
−
= .
Суммарное
сопротивление
делителя
обычно
выбирается
так
,
чтобы
ток
,
проте
-
кающий
через
него
,
был
примерно
в
10
раз
меньше
тока
коллектора
.
Составив
систему
уравнений
и
решив
её
,
можно
най
-
ти
сопротивления
R
1
и
R
2
плеч
делителя
,
которые
обеспечивают
ток
базы
,
необходимый
для
перевода
транзистора
в
режим
насыщения
.
Аналогичным
образом
каскад
рассчитывается
и
в
усилительном
режиме
,
но
с
учетом
сле
-
дующих
выражений
.
Ток
коллектора
в
усилительном
режиме
описывается
уравнением
нагрузочной
прямой
:
K
ЭКЭK
K
R
UUE
I
−
−
= .
где
U
Э
= I
Э
R
Э
, I
Э
–
ток
эмиттера
.
Ток
базы
определяется
из
выражения
:
DC
К
Б
I
I
β
= .
Ток
коллектора
связан
с
током
эмиттера
следующим
выражением
:
Б
III
−
=
ν
,
и
напряжение
на
базе
транзистора
равно
БЭОЭЭБ
URIU
+
⋅
=
.
Далее
рассчитываются
сопротивления
R
1
и
R
2
делителя
напряжения
.
Суммарное
сопротивление
делителя
должно
обеспечивать
больший
по
сравне
-
нию
с
током
базы
ток
делителя
(
обычно
ток
делителя
берут
в
10
раз
меньше
тока
коллектора
).
Рабочая
точка
определяется
пересечением
нагрузочной
Рис. 4.2. Схема задания тока
базы NPN транзистора с помощью
делителя напряжения в каскаде
с общим эмиттером
R
1
+
Е
К
R
К
R
2
R
Э
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- …
- следующая ›
- последняя »
