ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
37
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4
«СПОСОБЫ ЗАДАНИЯ ОБЩЕЙ ТОЧКИ
ТРАНЗИСТОРНОГО КАСКАДА»
Цель работы
1.
Построение
нагрузочной
линии
транзисторного
каскада
.
2.
Задание
рабочей
точки
транзисторного
каскада
.
3.
Исследование
параметров
рабочей
точки
транзистора
.
4.
Исследование
условий
для
перевода
транзистора
в
режим
насыщения
и
отсечки
.
5.
Определение
статического
коэффициента
передачи
транзистора
по
экс
-
периментальным
данным
.
Сведения из теории
1. Задание тока базы с помощью одного резистора
Схема
транзисторного
каскада
с
общим
эмиттером
представлена
на
рис
. 4.1
Режим
,
в
котором
работает
каскад
,
можно
определить
,
построив
его
нагрузочную
линию
на
выходной
характеристике
транзистора
.
Данный
способ
позволяет
описать
поведение
транзистора
в
режимах
насыщения
,
уси
-
ления
и
отсечки
.
Режим
насыщения
определяется
следующим
условием
:
ток
коллектора
не
управляется
током
базы
:
КНKБDC
III
=
>
β
.
I
КН
–
ток
коллектора
насыщения
,
определяется
сопротивлением
R
K
в
цепи
коллектора
и
напряжением
источника
питания
Е
К
:
K
K
КН
R
E
I ≈ .
Этот
режим
характеризуется
низким
падением
напряжения
коллектор
-
эмиттер
(
порядка
0,1
В
).
Для
перевода
транзистора
в
этот
режим
необходимо
в
базу
транзистора
подать
ток
,
больший
чем
ток
насыщения
базы
I
ВН
:
DC
КН
ВН
I
I
β
= .
Ток
насыщения
базы
задается
с
помощью
резистора
R
ВН
с
сопротивлени
-
ем
,
равным
:
БН
K
БИ
БЭОK
БН
I
E
I
UE
R ≈
−
= ,
где
U
БЭО
–
пороговое
напряжение
перехода
база
-
эмиттер
.
Для
кремниевых
транзисторов
U
БЭО
= 0,7
В
.
В
режиме
усиления
ток
коллектора
меньше
тока
I
КН
и
описывается
уравнением
нагрузочной
прямой
:
K
КЭK
K
R
UE
I
−
= .
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
