ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
34
инверсного
слоя
будут
практически
полностью
вытеснены
вглубь
полупро
-
водника
и
канал
исчезнет
.
При
приложении
отрица
-
тельного
напряжения
канал
расширяется
и
ток
снова
увеличивается
.
Таким
обра
-
зом
,
МДП
-
транзисторы
со
встроенными
каналами
ра
-
ботают
в
режимах
как
обед
-
нения
,
так
и
обогащения
.
Как
и
полевые
транзисторы
с
управляющим
p-n-
переходом
,
МДП
-
транзисторы
при
ма
-
лых
напряжениях
сток
-
исток
ведут
себя
подобно
линей
-
ному
сопротивлению
.
При
увеличении
этого
напряжения
ширина
канала
уменьшается
вследствие
паде
-
ния
на
нем
напряжения
и
уменьшения
напряженности
электрического
поля
.
Особенно
сильно
это
проявляется
в
той
части
канала
,
которая
находится
вбли
-
зи
стока
.
Перепады
напряжения
,
создаваемые
током
стока
Id,
приводят
к
не
-
равномерному
распределению
смещения
на
затворе
вдоль
канала
,
причем
оно
уменьшается
по
мере
приближения
к
стоку
.
Важным
преимуществом
МДП
-
транзисторов
по
сравнению
с
биполярны
-
ми
является
малое
падение
напряжения
на
них
при
коммутации
малых
сигна
-
лов
.
Так
,
если
в
биполярных
транзисторах
в
режиме
насыщения
напряжение
коллектор
-
эмиттер
принципиально
не
может
быть
меньше
нескольких
десятых
долей
вольт
,
то
для
МДП
-
транзисторов
при
малых
токах
стока
это
напряжение
при
работе
транзистора
в
начальной
области
выходной
ВАХ
может
быть
сведено
к
ничтожно
малой
величи
-
не
.
Стоковые
характеристики
полевого
транзистора
с
индуциро
-
ванным
каналом
n-
типа
очень
близ
-
ки
по
виду
аналогичным
характери
-
стикам
транзистора
со
встроенным
каналом
и
имеют
тот
же
характер
зависимости
.
Отличие
заключается
в
том
,
что
управление
током
транзистора
осуществляется
напряжением
од
-
ной
полярности
,
совпадающей
с
полярностью
напряжения
U
си
.
Рис. 3.10. Стоко-
затворные
характеристики МДП-транзистора
с индуцированным каналом
Рис. 3.9. Стоковые характеристики
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- …
- следующая ›
- последняя »
