Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н - 57 стр.

UptoLike

Составители: 

56
Рис. 6.1. Полупроводниковая структура тиристора
Рис. 6.2. Вольтамперные характеристики тиристора
Для тиристоров можно задать значения следующих параметров:
IS – обратный ток динистора;
IDRM – то же, но для тринистора;
VS напряжение, при котором динистор переключается в открытое состояние;
VDRM то же, но для тринистора при нулевом напряжении на
управляющем электроде;
VTM – падение напряжения в открытом состоянии;
ITM – ток в открытом состоянии;
TG – время переключения в закрытое состояние;
IH минимальный ток в открытом состоянии (если он меньше установ-
ленного, то прибор переходит в закрытое состояние);
DV/DT допустимая скорость изменения напряжения на аноде тринисто-
ра, при котором он продолжает оставаться в закрытом состоянии (при большей
скорости тринистор открывается);