Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н - 58 стр.

UptoLike

Составители: 

57
CJO
барьерная емкость динистора при нулевом напряжении на перехо-
де;
VGT – напряжение на управляющем электроде открытого тринистора;
IGT – ток управляющего электрода;
VD – отпирающее напряжение на управляющем электроде.
Перечисленные параметры можно задать с помощью диалоговых окон.
Исследование прямой ветви ВАХ тринистора можно проводить с исполь-
зованием схемы на рисунке 6.3.
Следует отметить, что снятие ВАХ переключательных диодов может быть
осуществлено также и в режиме заданных токов в силовой и управляющей
цепи.
Порядок выполнения работы
1. Снятие ВАХ тиристора
а) Откройте файл со схемой, изображенной на рис. 6.3. Включите схему.
Снять ВАХ тиристора для различных напряжений на управляющем электроде
(0; 0,5; 1,0; 2 В). При снятии характеристик следить за тем, чтобы ток тиристо-
ра не превышал максимально допустимый ток Iа max.
б) По полученным данным построить ВАХ тиристора.
Рис. 6.3. Схема для исследования тиристоров
2. Исследование способа выключения тиристора за счет уменьшения
анодного тока
а) Включить ключ В1 и установить с помощью R3 минимальное значение
управляющего тока. Изменяя плавно анодное напряжение, добиться включе-
ния тиристора. После выключения тумблера В1 убедится, что тиристор
остается в открытом состоянии.
б) Плавно изменяя сопротивление R1, добиться отключение тиристора за
счет уменьшения анодного тока. Записать это значение и сравнить его с
табличными значениями при минимальном значении управляющего тока.