Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 45 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

з) Уменьшить значение R

на более значительную величину и снова активи-

зировать схему. Если транзистор находится в режиме насыщения, то изменение

тока коллектора очень мало даже при очень большом изменении тока базы.

Рис. 4.6. Схема для исследования параметров рабочей точки при задании тока базы

с помощью одного резистора

2. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с

помощью делителя напряжения (NPN-транзистор)

а) Открыть файл со схемой, изображенной на рис. 4.7. Включить схему.

Записать результаты измерений для тока базы, тока коллектора, тока эмиттера,

напряжения коллектор-эмиттер и напряжения на базе. Вычислить коэффициент

передачи β

DС

б) Для схемы рис. 4.7 по формулам из теоретической части вычислить зна-

чение напряжения в точке U

. Вычислить ток эмиттера и рассчитать ток кол-

лектора по полученному значению тока эмиттера (U

вэо

= 0,7В), вычислить зна-

чение напряжения коллектор-эмиттер по полученным ранее току коллектора и

току эмиттера.

в) Построить нагрузочную прямую по постоянному току на выходной ха-

рактеристике транзистора 2N3904. Используя значения токов и напряжений,

полученных в пункте а), определить рабочую точку (Q) и отметить ее положе-

ние на графике.

г) Двойным щелчком на

изображении транзистора открыть диалоговое ок-

но выбора модели транзистора. Строка с наименованием транзистора 2N3904

будет подсвечена. Чтобы редактировать параметры модели транзистора, на-

жмите Edit. Измените коэффициент передачи по тoкy (PF) до 100, потом на-