Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 43 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

43
Значение напряжения коллектор-эмиттер вычисляется из закона Кирх-
гоффа для напряжений:
ЭЭKKЭККЭ
RIRIЕЕU
.
Коэффициент нестабильности тока коллектора (S) определяется как:

БЭЭDC
DC
КБО
K
RRR1
1
dI
dI
S
.
Рассматриваемая схема характеризуется таким же коэффициентом
нестабильности, как и предыдущая.
5. Задание тока базы с помощью резистора в цепи база-коллектор
Схема задания тока базы с помощью резистора в цепи база-коллектор в
каскаде с общим эмиттером представлена на рис. 5.5. Ток коллектора в усили-
тельном режиме описывается уравнением:
К
KЭK
K
R
UE
I
.
Рабочая точка определяется точкой пересечения нагрузочной прямой и
выходной характеристики транзистора. Ток базы определяется из выражения
Б
БЭОКЭ
Б
R
UU
I
.
Как видно из выражения, ток базы зависит от напряжения коллектор-
эмиттер, что делает схему менее чувствительной к разбросу значений статиче-
ского коэффициента передачи устанавливаемых в нее транзисторов.
Ток коллектора в схеме определяется по формуле
DCБК
БЭK
K
RR
UE
I
.
Значение напряжения коллек-
тор-эмиттер вычисляется по закону
Кирхгофа для напряжений
Б
K
DC
I
I
.
Коэффициент нестабильности
тока коллектора (S) из-за влияния
тепловых токов в схеме с резисто-
ром в цепи база-коллектор опреде-
ляется как
Рис. 4.5. Схема задания тока базы с помо-
щью резистора в цепи база-коллектор
в каскаде с общим эмиттером
R
Б
+Е
К
R
К

Страницы