Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 42 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

42
4. Задание тока базы с помощью дополнительного источника в цепи
эмиттера
Схема задания тока базы с помощью дополнительного источника в цепи
эмиттера в каскаде с общим эмиттером на NPN-транзисторе представлена
на рис. 4.4. Ток коллектора в режиме насыщения равен
ЭК
ЭK
KH
RR
EE
I
.
Ток коллектора в усилительном режиме описывается уравнением
нагрузочной прямой
К
ЭЭЭK
K
R
RIEE
I
.
Напряжение на базе транзистора UB определяется из следующего выражения:
U
Б
= I
Э
R
Э
– E
Э
+ U
БЭО
.
Это же напряжение равно падению напряжения на резисторе Е
В
U
Б
= – I
Б
·R
Б
.
Ток эмиттера вычисляется по падению напряжения на сопротивлении R
Э
:
Э
ЭБЭОЭ
Э
ЭЭ
Э
R
EUU
R
EU
I
.
U
Б
имеет отрицательное значение.
Ток коллектора связан с током эмиттера следующим выражением:
I
K
= I
Э
– I
Б
= I
Э
.
R
1
–
Е
К
R
К
R
2
R
Э
0
Рис. 4.3. Схема задания тока базы
с помощью делителя напряжения в
каскаде с общим эмиттером
на PNP-транзисторе
Рис. 4.4. Схема задания тока базы с
помощью дополнительного источника
в цепи эмиттера в каскаде с общим
эмиттером на NPN-транзисторе
+Е
К
R
К
R
Э
R
Б
Е
Э

Страницы