Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 40 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

40
DC
КН
БИ
I
I
,
а напряжение U
Б
на базе равно:
БЭО
KЭ
Э
KБ
U
RR
R
EU
.
Это же напряжение задается делите-
лем напряжения. Зная Е
К
и U
Б
, можно оп-
ределить отношение сопротивлений плеч
делителя:
Б
БК
2
1
U
UE
R
R
.
Суммарное сопротивление делителя
обычно выбирается так, чтобы ток, проте-
кающий через него, был примерно в 10 раз
меньше тока коллектора. Составив систе-
му уравнений и решив ее, можно найти
сопротивления R
1
и R
2
плеч делителя, которые обеспечивают ток базы, необхо-
димый для перевода транзистора в режим насыщения. Аналогичным образом
каскад рассчитывается и в усилительном режиме, но с учетом следующих вы-
ражений. Ток коллектора в усилительном режиме описывается уравнением на-
грузочной прямой:
K
ЭКЭK
K
R
UUE
I
.
где U
Э
= I
Э
R
Э
, I
Э
– ток эмиттера.
Ток базы определяется из выражения:
DC
К
Б
I
I
.
Ток коллектора связан с током эмиттера следующим выражением:
КЭБ
III
,
и напряжение на базе транзистора равно
БЭОЭЭБ
URIU
.
Далее рассчитываются сопротивления R
1
и R
2
делителя напряжения.
Суммарное сопротивление делителя должно обеспечивать больший по сравне-
нию с током базы ток делителя (обычно ток делителя берут в 10 раз меньше то-
ка коллектора). Рабочая точка определяется пересечением нагрузочной пря-
Рис. 4.2. Схема задания тока базы
NPN транзистора с помощью
делителя напряжения в каскаде
с общим эмиттером
R
1
+Е
К
R
К
R
2
R
Э

Страницы