ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
38
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4
«СПОСОБЫ ЗАДАНИЯ ОБЩЕЙ ТОЧКИ
ТРАНЗИСТОРНОГО КАСКАДА»
Цель работы
1. Построение нагрузочной линии транзисторного каскада.
2. Задание рабочей точки транзисторного каскада.
3. Исследование параметров рабочей точки транзистора.
4. Исследование условий для перевода транзистора в режим насыщения и
отсечки.
5. Определение статического коэффициента передачи транзистора по экс-
периментальным данным.
Сведения из теории
1. Задание тока базы с помощью одного резистора
Схема транзисторного каскада с общим эмиттером представлена на
рис. 4.1. Режим, в котором работает каскад, можно определить, построив его
нагрузочную линию на выходной характеристике транзистора. Данный способ
позволяет описать поведение транзистора в режимах насыщения, усиления и
отсечки. Режим насыщения определяется следующим условием: ток коллектора
не управляется током базы:
КНKБDC
III
.
I
КН
– ток коллектора насыщения, определяется сопротивлением R
K
в цепи кол-
лектора и напряжением источника питания Е
К
:
K
K
КН
R
E
I .
Этот режим характеризуется низким падением напряжения
коллектор-эмиттер (порядка 0,1 В). Для перевода транзистора в этот режим не-
обходимо в базу транзистора подать ток, больший чем ток насыщения базы I
ВН
:
DC
КН
ВН
I
I
.
Ток насыщения базы задается с помощью резистора R
ВН
с сопротивлением,
равным:
БН
K
БИ
БЭОK
БН
I
E
I
UE
R
,
где U
БЭО
– пороговое напряжение перехода база-эмиттер. Для кремниевых
транзисторов U
БЭО
= 0,7 В. В режиме усиления ток коллектора меньше тока I
КН
и
описывается уравнением нагрузочной прямой:
K
КЭK
K
R
UE
I
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
