ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
36
В библиотеке компонентов программы EWB МДП-транзисторы со встро-
енным каналом представлены двумя образцами: n-канальным и p-канальным.
Каждый тип МДП-транзистора представлен в двух вариантах: с отдельным вы-
водом подложки и общим выводом подложки и истока.
Параметры МДП-транзисторов:
1) Поверхностный потенциал, В – PHI.
2) Коэффициент влияния потенциала подложки на пороговое напряжение –
GAMMA.
3) Емкость между затвором и подложкой, Ф – CGB.
4) Емкость донной части перехода сток–подложка при нулевом смещении,
Ф – CBD.
5) Емкость донной части перехода исток–подложка при нулевом смеще-
нии, Ф – CBS.
6) Напряжение инверсии приповерхностного слоя подложки, В – PB.
Для исследования характеристик МДП-транзисторов используется схема
на рис. 3.11. С ее помощью можно получить семейство выходных
характери-
стик МДП-транзисторов при фиксированных значениях напряжения на затворе
Ug и подложке Ub. Располагая такими характеристиками, можно определить
крутизну транзистора S при управлении со стороны затвора, а также крутизну
при управлении со стороны подложки Sb = dId / dUb; статический коэффициент
усиления M = dUd / dUg; выходное дифференциальное сопротивление
Rd = dUd / dId и другие параметры.
Рис. 3.11. Схема для исследования характеристик МДП-транзисторов
Порядок выполнения работы
1. Снятие стоковых характеристик
а) Откройте файл (рис. 3.5) и включите схему. Снимите стоковые характе-
ристики полевого транзистора с p-n переходом и каналом n-типа: I
c
= f(U
си
), U
зи
= const. Первоначально установить U
зи
= 0, а затем снимите стоковые характе-
ристики полевого транзистора с двумя другими значениями U
зи
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »
