ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
34
имеет дополнительный вывод от кристалла, называемый подложкой, на кото-
рой выполнен прибор.
Управляющее напряжение подается между затвором и
подложкой. Под
влиянием образующегося электрического поля у поверхности полупроводника
создается р-канал за счет отталкивания электронов от поверхности вглубь по-
лупроводника в транзисторе с индуцированным каналом. В транзисторе со
встроенным каналом происходит расширение или сужение имеющегося канала.
Под действием управляющего напряжения изменяется ширина канала и,
соответственно, сопротивление и ток транзистора.
Напряжение
на затворе, при котором индуцируется канал, называется
пороговым напряжением. При практическом определении этого напряжения
обычно задается определенный ток стока, при котором потенциал затвора дос-
тигает порогового напряжения (0,2–1 В для транзисторов с n-каналом и 2–4 В
с р-каналом).
По мере удаления от поверхности полупроводника концентрация индуци-
рованных дырок уменьшается. На расстоянии, приблизительно равном полови-
не толщины канала, электропроводность становится собственной (
беспримес-
ной). Далее располагается участок, обедненный основными носителями заряда,
в котором существует область положительно заряженных ионов донорной при-
меси. Наличие обедненного участка обусловлено также отталкиванием основ-
ных носителей заряда от поверхности вглубь полупроводника.
Таким образом, сток, исток и канал, представляющие собой рабочие об-
ласти МДП-транзистора, изолированы от подложки p-n-переходом.
Очевидно
, что ширина p-n-перехода и ширина канала изменяются при по-
даче на подложку дополнительного напряжения, т. е. током истока можно
управлять не только путем изменения напряжения на затворе, но и за счет из-
менения напряжения на подложке. В этом случае управление u1052
МДП-транзистором аналогично полевому транзистору с управляющим
p-n-переходом.
Толщина инверсного
слоя значительно меньше толщины обедненного
слоя. Если последний составляет сотни или тысячи нанометров, то толщина ин-
дуцированного I канала составляет всего 1–5 нм. Другими словами, дырки ин-
дуцированного канала «прижаты» к поверхности полупроводника, поэтому
структура и свойства границы полупроводник-диэлектрик играют в
МДП-транзисторах очень важную роль.
Дырки, образующие канал, поступают в
него не только из подложки
n-типа, где их мало и генерируются они сравнительно медленно, но также из
слоев р-типа истока и стока, где их концентрация практически не ограничена, а
напряженность поля вблизи этих электродов достаточно велика.
В транзисторах со встроенным каналом ток в цепи стока будет протекать и
при
нулевом напряжении на затворе. Для его прекращения необходимо к затво-
ру приложить положительное напряжение (при структуре с каналом р-типа),
равное или большее напряжения отсечки. При этом дырки из инверсного слоя
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »
