ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
33
Рис. 3.7. Стоковые характеристики МДП-транзистора
МДП-транзисторы в общем случае представляют собой приборы с
четырьмя выводами. Четвертый вывод, подложка, выполняет вспомогательную
функцию.
Стоковые характеристики полевого транзистора со встроенным каналом
n-типа показаны на рис. 3.7.
Стоко-затворные характеристики МДП-транзистора показаны на рис. 3.8.
Рис. 3.8. Стоко-затворная характеристика МДП-транзистора
Транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обедне-
ния канала носителями заряда, так и в режиме обогащения. Транзисторы с
индуцированным каналом можно использовать только в режиме обогащения.
В отличие от транзисторов с управляющим p-n-переходом металлический
затвор МДП-транзисторов изолирован от полупроводника слоем диэлектрика и
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- …
- следующая ›
- последняя »
