Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 32 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 3.5. Схема для исследования ВАХ полевого транзистора с управляющим

p-n-переходом

Располагая характеристиками Id=f(Ud), можно определить крутизну

S = dId/dUg, являющуюся одной из важнейших характеристик полевого транзи-

стора как усилительного прибора.

Другой тип полевых транзисторов – транзисторы с приповерхностным ка-

налом и структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзисторы).

Рис. 3.6. Условные обозначения МДП-транзисторов со встроенным каналом

n- и p-типа (а, б); с индуцированным каналом (в)

В частном случае, если диэлектриком является окисел (двуокись кремния),

используется название

МОП-транзисторы.

МДП-транзисторы бывают двух типов: транзисторы со встроенным и

с индуцированным каналами (в последнем случае канал находится под дейст-

вием напряжения, приложенного к управляющим электродам).