Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 30 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

30
Управляющее напряжение подает-
ся между затвором и истоком. Управ-
ляющие свойства транзистора объяс-
няются тем, что при изменении напря-
жения U
зи
изменяется ширина его p-n-
переходов, представляющие собой уча-
стки полупроводника, обедненные но-
сителями заряда. Так как
p-слой имеет большую концентрацию
примеси, чем n-слой, изменение шири-
ны p-n-переходов происходит в основ-
ном за счет более высокоомного n-слоя
(эффект модуляции базы). Тем самым
изменяются сечение токопроводящего
канала и его проводимость, то есть
выходной ток I
c
прибора.
Вольтамперные характеристики полевых транзисторов с p-n-переходом –
стоковые отражают зависимость тока стока от напряжения сток – исток при
фиксированном напряжении затвор – исток.
В области малых напряжений (участок 0 – а, рисунок 3.3) влияние
напряжения U
си
на проводимость канала незначительно, в связи с чем здесь
практически линейная зависимость. По мере увеличения напряжения (участок
а – б на рис. 3.3) сужение токопроводящего канала оказывает все большее
влияние на его проводимость, что приводит к уменьшению крутизны нараста-
ния тока. При подходе к границе (точка б) сечение токопроводящего канала
уменьшается до
минимума. Дальнейшее увеличение напряжения на стоке не
должно приводить к увеличению тока через прибор. Наличие увеличения тока
объясняется тем, что у реальных приборов существуют утечки.
Рис. 3.3. Семейство стоковых характеристик полевого транзистора с p-n-переходом
Рис. 3.2. Полярность напряжений,
приложенных к полевому транзистору

Страницы