ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
28
Рис. 2.4. Схема для получения входной характеристики транзистора в схеме с ОБ
б) Открыть файл со схемой, изображенной на рис. 2.4. Включить схему.
Зарисовать осциллограмму полученной характеристики.
в) По полученной характеристике найти сопротивление r
Э
при изменении
базового тока с 10 мА до 30 мА.
г) Найти сопротивление r
Э
по формуле r
Э
= 25 мВ/I
Э
, используя значение I
Э
при I
В
= 20 мA.
Контрольные вопросы
1. От чего зависит ток коллектора транзистора?
2. Зависит ли коэффициент β
DС
от тока коллектора? Если да, то в какой
степени? Обосновать ответ.
3. Что такое токи утечки транзистора в режиме отсечки?
4. Что можно сказать о зависимости тока коллектора от тока базы и
напряжения коллектор-эмиттер по выходным характеристикам?
5. Что можно сказать по входной характеристике о различии между
базо-эмиттерным переходом и
диодом, смещенном в прямом направлении?
6. Одинаково ли значение r
ВХ
в любой точке входной характеристики?
7. Одинаково ли значение r
Э
при любом значении тока эмиттера?
8. Как отличается практическое значение сопротивления r
Э
от вычисленно-
го по формуле?
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
