Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

26
Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения
коллектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать статический коэф-
фициент передачи транзистора β
DС
. Затем установить номинал Е
К
равным 10 В.
2. Измерение обратного тока коллектора
На схеме рис. 2.1 изменить номинал источника ЭДС Е
Б
до 0 В. Включить
схему. Записать результаты измерения тока коллектора для данных значений
тока базы и напряжения коллектор-эмиттер.
3. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ
а) В схеме (рис. 2.1) провести измерения тока коллектора I
К
для каждого
значения Е
К
и Е
Б
. По этим данным построить график зависимости I
К
от Е
К
.
б) Открыть файл со схемой, изображенной на рис. 2.2. Включить схему.
Зарисовать осциллограмму выходной характеристики. Повторить измерения
для разных значений Е
Б
. Осциллограммы выходных характеристик для разных
токов базы необходимо изобразить на одном графике.
Рис. 2.2. Схема для получения выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ
в) По выходной характеристике найти коэффициент передачи тока при из-
менении базового тока с 10 мА до 30 мA, Е
К
= 10 В.
4. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ
а) Открыть файл (рис. 2.1). Установить значение напряжения источника Е
К
равным 10 В и провести измерения тока базы I
Б
, напряжения база-эмиттер U
БЭ
тока эмиттера I
Э
для различных значений напряжения источника Е
Б
. Обратить
внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.

Страницы