Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

25
ванном значении напряжения база-коллектор. Оно может быть найдено как
отношение приращения к вызванному им приращению тока эмиттера:
1Э2Э
1БЭ2БЭ
Э
БЭ
ВХОБ
II
UU
I
U
r
.
Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением
Э
DC
Б
ВХОБ
r
r
r
.
Первым слагаемым в выражении можно пренебречь, поэтому можно счи-
тать, что дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер приблизи-
тельно равно:
ЭВХОБ
rr
.
Порядок выполнения работы
1. Определение статического коэффициента передачи тока транзи-
стора
а) Открыть файл со схемой, изображенной на рис. 2.1. Включить схему.
Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения кол-
лектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать статический коэффи-
циент передачи транзистора.
б) Изменить номинал источника ЭДС Е
Б
до 2,68 В. Включить схему.
Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения
коллектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать коэффициент β
DС
.
в) Изменить номинал источника ЭДС Е
К
5 В. Запустить схему.
Рис. 2.1. Схема для определения статического коэффициента передачи
тока транзистора

Страницы