Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

24
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2
«ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА»
Цель работы
1. Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения
база-эмиттер.
2. Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от
тока коллектора.
3. Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.
4. Получение входных и выходных характеристик транзистора.
5. Определение коэффициента передачи по
переменному току.
6. Исследование динамического входного сопротивления транзистора.
Сведения из теории
Исследуемая схема показана на рис. 2.1. Статический коэффициент пере-
дачи тока определяется как отношение тока коллектора I
K
к току базы I
К
:
Б
К
DC
I
I
.
Коэффициент передачи тока определяется отношением приращения кол-
лекторного тока к вызывающему его приращению базового тока:
Б
К
DC
I
I
.
Дифференциальное входное сопротивление r
ВХ
транзистора в схеме с об-
щим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряжения
коллектор-эмиттер. Оно может быть найдено как отношение приращения на-
пряжения база-эмиттер к вызванному им приращению тока базы:
1Б2Б
1БЭ2БЭ
Б
К
ВХ
II
UU
I
U
r
.
Дифференциальное входное сопротивление r
вх
транзистора в схеме с ОЭ
через параметры транзистора определяется следующим выражением:
ЭDCБВХ
rrr
,
где r
Б
– распределенное сопротивление базовой области полупроводника; r
Э
–
дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из вы-
ражения: r
Э
= 25/ I
Э
, где I
Э
– постоянный ток эмиттера в миллиамперах.
Первое слагаемое r
Б
в выражении много меньше второго, поэтому им можно
пренебречь:
ЭDCВХ
rr
.
Дифференциальное сопротивление r
Э
перехода база-эмиттер для биполяр-
ного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлением
r
ВХОБ
транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при фиксиро-

Страницы