ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
31
Стоко-затворная характеристика
полевого транзистора показывает зави-
симость тока стока от напряжения за-
твор–исток при фиксированном напря-
жении сток–исток.
Параметры моделей полевых тран-
зисторов задаются с помощью диалого-
вого окна и перечислены ниже:
1) Напряжение отсечки (VTO) – на-
пряжение между затвором и истоком по-
левого транзистора с p-n-переходом или
с
изолированным затвором, работающих
в режиме обеднения, при котором ток
стока достигает заданного низкого на-
пряжения. Для транзисторов с изолиро-
ванным затвором, работающих в режиме
обогащения, этот параметр называется
пороговым напряжением;
2) Коэффициент пропорциональности – KP.
3) Параметр модуляции длины канала, 1/ В – LAMBDA.
4) Объемное сопротивление области стока, Ом – RD.
5) Объемное сопротивление области истока, Ом – RS.
6) Ток насыщения p-n-перехода, – только для полевых транзисторов с
p-n-переходом – IS.
7) Емкость между затвором и стоком при нулевом смещении, Ф – CGD.
8) Емкость между затвором и истоком при нулевом смещении, Ф – CGS.
9) Контактная разность
потенциалов p-n-перехода, В – только для по-
левых транзисторов с p-n-переходом – PB.
По аналогии с биполярными транзисторами различают три схемы включе-
ния полевых транзисторов: с общим затвором (ОЗ), с общим истоком (ОИ) и с
общим стоком (ОС).
Для исследования семейства выходных ВАХ полевого транзистора в схеме
с ОИ может быть использована схема
на рис. 3.5. Она содержит источник на-
пряжения затвор–исток Ug, исследуемый транзистор VT, источник питания
Ucc, вольтметр Ud для контроля напряжения сток–исток и амперметр Id для
измерения тока стока. Выходная ВАХ снимается при фиксированных значениях
Ug путем изменения напряжения Ud и измерения тока стока Id. Напряжение
Ug, при котором ток Id имеет близкое к нулю значение, называется
напряжением отсечки.
Рис. 3.4. Стоко-затворная характеристика
полевого транзистора с p-n-переходом
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »
