Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 35 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

35
будут практически полно-
стью вытеснены вглубь полу-
проводника и канал исчезнет.
При приложении отрицатель-
ного напряжения канал рас-
ширяется и ток снова увели-
чивается. Таким образом,
МДП-транзисторы со встро-
енными каналами работают в
режимах как обеднения, так и
обогащения.
Как и полевые транзи-
сторы с управляющим p-n-
переходом, МДП-транзис
-
торы при малых напряжениях
сток–исток ведут себя подоб-
но линейному сопротивлению. При увеличении этого напряжения ширина ка-
нала уменьшается вследствие падения на нем напряжения и уменьшения на-
пряженности электрического поля. Особенно сильно это проявляется в той час-
ти канала, которая находится вблизи стока. Перепады напряжения, создаваемые
током стока Id, приводят
к неравномерному распределению смещения на затво-
ре вдоль канала, причем оно уменьшается по мере приближения к стоку.
Важным преимуществом МДП-транзисторов по сравнению с биполярными
является малое падение напряжения на них при коммутации малых сигналов.
Так, если в биполярных транзисторах в режиме насыщения напряжение коллек-
тор-эмиттер принципиально не может быть
меньше нескольких десятых долей
вольт, то для МДП-транзисторов при
малых токах стока это напряжение при
работе транзистора в начальной области
выходной ВАХ может быть сведено к
ничтожно малой величине.
Стоковые характеристики полево-
го транзистора с индуцированным ка-
налом n-типа очень близки по виду
аналогичным характеристикам транзи-
стора со встроенным
каналом и имеют
тот же характер зависимости.
Отличие заключается в том, что
управление током транзистора осуще-
ствляется напряжением одной поляр-
ности, совпадающей с полярностью
напряжения Uси.
Их вид приведен на рис. 3.9.
Рис. 3.10. Стоко-затворные
характеристики МДП-транзистора
с индуцированным каналом
Рис. 3.9. Стоковые характеристики

Страницы