Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 37 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

37
б) В соответствии с полученными данными постройте стоковые (выход-
ные) характеристики полевого транзистора.
2. Снятие стоко-затворной характеристики (рис. 3.10)
а) Откройте файл (рис. 3.5) и включите схему. Снимите стоко-затворные
характеристики полевого транзистора: I
c
= f(U
си
), U
зи
= const. Установите
U
си
= 10 В, и снимите показания приборов при этом значении для U
зи
и I
с
.
б) В соответствии с полученными данными постройте стоко-затворные ха-
рактеристики полевого транзистора.
3. Вычисление крутизны стоко-затворной характеристики
Определите крутизну стоко-затворной характеристики по формуле
зи
c
dU
dI
S .
при U
си
= const.
Типичные значения параметров транзисторов:
U
зи
= 0,8 – 10 В – напряжение отсечки;
R
i
= 0,02 – 0,5 МОм – внутреннее сопротивление транзистора;
S = 0,3 – 7 мА/В – крутизна стоко-затворной характеристики;
R
вх
= 108 – 109 Ом – входное сопротивление транзистора;
С
из
= С
си
= 6 – 20 пФ, С
зс
= 2 – 8 пФ – межэлектродные емкости.
Контрольные вопросы
1. Чем обусловлено название полевых транзисторов?
2.
Чем объясняется управляющие свойства полевых транзисторов
с p-n-переходом?
3.
В чем различие полевых транзисторов и транзисторов
с p-n-переходом и МДП-транзисторов?
4.
Каковы основные параметры полевых транзисторов с
p-n-переходом?
5.
Что такое режим обеднения и режим обогащения
в МДП-транзисторах?
6.
Каковы преимущества МДП-транзисторов перед биполярными
транзисторами?

Страницы