Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 39 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

39
Рабочая точка в статическом режиме зада-
ется током базы и напряжением на коллекторе.
Она определяется точкой пересечения нагру-
зочной прямой и выходной характеристики
транзистора. Базовый ток транзистора опреде-
ляется как ток через сопротивление в цепи базы
Е
В
(см. рис. 4.1):
Б
БЭОK
Б
R
UE
I
.
Ток коллектора вычисляется по формуле:
БDCK
II
.
Напряжение коллектор-эмиттер определяется из уравнения нагрузочной
прямой:
KKKКЭ
RIEU
.
В режиме отсечки ток коллектора равен нулю и не создает на резисторе R
К
падения напряжения. Следовательно, напряжение U
КЭ
максимально и равно на-
пряжению источника питания Е
К
.
Ток коллектора с учетом тепловых токов определяется из следующего
выражения:

БКБОDCБDCКБОDCБDCКЭОK
IIII1III
,
где I
КЭО
, I
КБО
– обратные токи переходов коллектор-эмиттер и коллектор-
база соответственно. Коэффициент нестабильности тока коллектора (S) из-за
влияния тепловых токов в схеме определяется как
DCDC
КБО
K
1
dI
dI
S .
Как следует из этого выражения, при рассматриваемом способе задания
тока базы коэффициент нестабильности зависит от статического коэффициента
передачи, который для транзисторов одного и того же типа может сильно раз-
личаться.
2. Задание тока базы NPN-транзистора с помощью делителя напря-
жения
Схема задания тока базы NPN транзистора с помощью делителя напряже-
ния в каскаде с общим эмиттером представлена на рис. 4.2. Аналогично пункту
1, рассмотрим режимы насыщения, усиления и отсечки. Ток коллектора в
режиме насыщения описывается следующим выражением:
ЭK
K
КН
RR
E
I
.
Независимо от сопротивления резисторов R
1
и R
2
делителя напряжения ток
насыщения базы определяется из выражения
R
Б
+Е
К
R
К
Рис. 4.1. Схема транзисторного
каскада с общим эмиттером

Страницы