Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 41 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

41
мой и выходной характеристики транзистора. При известных значениях
сопротивлений R
1
и R
2
ток базы транзистора равен
ЭКВ
БЭОБ
Б
R
UU
I
где U
Б
– напряжение на базе транзистора. Если R
Э
>> R
2
, то
21
2
КБ
RR
R
EU
,
21
21
ЭКВ
RR
RR
R
.
Ток эмиттера определяется по падению напряжения на сопротивлении R
Э
в цепи эмиттера и вычисляется как разность потенциалов:
Э
БЭОБ
Э
R
UU
I
.
Значение напряжения коллектор-эмиттер U
КЭ
вычисляется по закону Кирх-
гофа:
U
КЭ
= E
К
– I
К
R
К
– I
Э
R
Э
.
Коэффициент нестабильности тока коллектора (S) из-за влияния тепловых
токов в схеме при условии, что U
Э
> U
БЭО
определяется как

Э
Б
БЭЭDC
DC
КБО
K
R
R
1
RRR1
1
dI
dI
S
,
где
21
21
Б
RR
RR
R
.
Как следует из этого выражения, при данном способе задания тока базы
коэффициент нестабильности определяется элементами схемы и практически
не зависит от характеристик транзистора, что улучшает стабильность рабочей
точки.
3. Задание тока базы PNP-транзистора с помощью делителя
напряжения
Схема задания тока базы с помощью делителя напряжения в каскаде с об-
щим эмиттером на PNP-транзисторе представлена на рис. 4.3. Для данной схе-
мы справедливы выражения, приведенные в предыдущем пункте для схемы с
NPN-транзистором, со следующей поправкой: полярность напряжений и
направления токов нужно поменять на обратные.

Страницы