Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 57 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

свойства тиристора и зависят от его типа. Время t

вк

составляет от 1 – 5 до

30 мкс, а время t

– от 5 – 12 до 250 мкс.

Рис. 6.1. Полупроводниковая структура тиристора

Рис. 6.2. Вольтамперные характеристики тиристора

Для тиристоров можно задать значения следующих параметров:

IS – обратный ток динистора;

IDRM – то же, но для тринистора;

VS – напряжение, при котором динистор переключается в открытое состояние;

VDRM – то же, но для тринистора при нулевом напряжении на

управляющем электроде;

VTM – падение напряжения в открытом состоянии;

ITM – ток в открытом состоянии;

TG – время переключения в закрытое

состояние;

IH – минимальный ток в открытом состоянии (если он меньше установ-

ленного, то прибор переходит в закрытое состояние);