Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н. - 58 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

DV/DT – допустимая скорость изменения напряжения на аноде тринисто-

ра, при котором он продолжает оставаться в закрытом состоянии (при большей

скорости тринистор открывается);

CJO – барьерная емкость динистора при нулевом напряжении на переходе;

VGT – напряжение на управляющем электроде открытого тринистора;

IGT – ток управляющего электрода;

VD – отпирающее напряжение на управляющем электроде.

Перечисленные параметры можно задать

с помощью диалоговых окон.

Исследование прямой ветви ВАХ тринистора можно проводить с исполь-

зованием схемы на рис. 6.3.

Следует отметить, что снятие ВАХ переключательных диодов может быть

осуществлено также и в режиме заданных токов в силовой и управляющей

цепи.

Порядок выполнения работы

1. Снятие ВАХ тиристора

а) Откройте файл со схемой, изображенной на рис. 6.3. Включите схему.

Снять ВАХ тиристора для различных напряжений на управляющем электроде

(0; 0,5; 1,0; 2 В). При снятии характеристик следить за тем, чтобы ток тиристора

не превышал максимально допустимый ток I

а max

б) По полученным данным построить ВАХ тиристора.

Рис. 6.3. Схема для исследования тиристоров

2. Исследование способа выключения тиристора за счет уменьшения

анодного тока

а) Включить ключ В1 и установить с помощью R3 минимальное значение

управляющего тока. Изменяя плавно анодное напряжение, добиться включения

тиристора. После выключения тумблера В1 убедиться, что тиристор оста-

ется в открытом состоянии.