Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 42 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Относительное изменение сопротивления

с учетом только собственной

емкости резистора на высокой частоте можно определить по формуле

( )

пр0

CωR1

, ( 4.9 )

где

– модуль сопротивления резистора на частоте

ω – круговая частота,

пр

– приведенная емкость, действие которой эквивалентно совместному

действию распределенной емкости и сопротивления потерь

пр

≈

0,3–0,5

пФ

Резистор считается частотно-независимым, если на рабочей частоте его

полное сопротивление отличается от сопротивления постоянному току не более

чем на 0,5 %. Условия частотной независимости для резисторов имеют вид:

а) для высокоомных

пр0

макс

C R

0,1

≤ ,

б) для низкоомных

L 62,8

макс

≤ ,

где L – собственная индуктивность резистора.