Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 44 стр.

UptoLike

Составители: 

45
Таблица 5.1
Основные характеристики диэлектрических материалов тонкопленочных конденсаторов
Наименование
материала
Материал
обкладок
Удельная
емкость С
0,
пФ / cм
2
Рабочее
Напряжение
U, B
ε на часто-
те f = 1кГц
tg δ на
f = 1кГц
U
пр
·10
6
В/cм
f
раб,
МГц
ТКС, град
– 1
В интервале
T= ( - 60 ÷
÷125)
С
Моноокись
кремния
5000 –
10000
60 – 30 5 –6 0,01 - 0,02 2 –3 500 2
Моноокись
германия
5000-
15000
10 – 5 11 – 12
0,005 -
0,007
1,0 - 3
Боросиликатное
стекло (БСС)
2500 –
15000
24 – 8 4
0,001 –
0,0015
3 – 4 300 0,35
Стекло элек-
тровакуумное
С41-1
Алюминий
А99
15000 -
40000
12,6 – 6,3 5,2
0,002 –
0,003
3 – 4 300 0,5 – 1,8
Тантал
ТВЧ
60000 –
100000
15 – 10
Пятиокись
тантала
Алюминий
А99
200000 3
23 0,02 2 - 4