Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 45 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

46
2500-5000 Å находится в интервале 0,2-0,06 Ом/квадрат. Это обеспечивает вы-
сокую добротность ТПК.
Рекомендуется одновременно с изготовлением обкладок ТПК наносить и
тонкопленочные проводники. При этом ускоряется и упрощается техпроцесс
изготовления микросхем и сокращается расход алюминия.
Следует помнить, что при температуре выше 180°С в алюминиевых пленках
образуются игольчатые кристаллы, способные в ряде случаев проколоть тон-
кую диэлектрическую пленку. Поэтому температуру подложки и термообра-
ботки нельзя выбирать слишком высокой.
Использование многослойных тонкопленочных структур, хотя и позволяет
увеличить удельную емкость ТПК, ограничено тем обстоятельством, что с рос-
том числа слоев увеличивается сложность технологического процесса изготов-
ления конденсаторов, увеличивается процент брака и снижается их надежность.
Конденсаторы с малой величиной емкости рекомендуется проектировать в
виде двух пересекающихся проводящих полосок, разделенных слоем диэлек-
трика.
Желательно
9
чтобы все конденсаторы, расположенные на одной подложке,
были изготовлены на основе одной диэлектрической пленки.
Нижняя обкладка ТПК должна выступать за край верхней не менее чем на
200 мкм, а диэлектрик - не менее чем на 200 мкм за край нижней обкладки. Вы-
воды обкладок ТПК в местах коммутации с другими элементами должны вы-
ступать за слой диэлектрика не менее чем на 500 мкм.
Для повышения точности и надежности ТПК необходимо выбирать наиболее
простую форму обкладок. Суммарная площадь, занимаемая ТПК на микропла-
те, не должна превышать 2 см
2
, минимальная площадь ТПК равна 0,5 х 0,5 мм
2
.
Емкость пленочного конденсатора определяется по формуле
C =
( )
пФS
d
ε
,S
d
εε
×=× 08850
0
( 5.1 )
где d - толщина диэлектрика, см; S - площадь перекрытия верхней и нижней об-
кладок, см
2
, она называется активной площадью конденсатора; ε
0
- электрическая
постоянная вакуума; ε
0
= 8,854·10
-12
Ф/м; ε - относительная диэлектрическая
проницаемость материала диэлектрика.
Емкость на единицу площади называется удельной емкостью конденсатора С
0
C
0
= ε·ε
0
/d = 0,0885ε /d ( 5.2 )
Конструкция пленочного конденсатора определяется площадью S (возможные ва-
рианты конструкции показаны на рис. 5.1).
При S ≥ 5 мм
2
используется конструкция рис. 5.1,а, у которой площадь верхней об-
кладки меньше, чем нижней.
При 1 ≤ S ≤ 5 мм
2
используется конструкция, представляющая собой пересече-
ние пленочных проводников (рис. 5.1, б).

Страницы