ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
50
На
основании
выше
приведенных
рассуждений
,
рекомендуется
следующий
порядок
расчета
тонкопленочного
конденсатора
.
1.
Выбирают
материал
диэлектрика
по
рабочему
напряжению
U
раб
в
соответст
-
вии
с
данными
таблицы
5.1.
Из
нее
определяют
ε
, tg
δ
,
Е
пр
,
α
С
(
ТСК
).
2.
Вычисляют
температурную
погрешность
γ
Сt
=
α
С
( T
max
– 20)
где
Т
max
-
максимально
допустимая
температура
.
3.
Определяют
относительную
погрешность
активной
площади
конденсатора
γ
S доп
=
γ
С
–
γ
С0
–
γ
Сt
–
γ
C ст
4.
Рассчитывают
минимальную
толщину
диэлектрика
,
исходя
из
необходимо
-
сти
обеспечения
электрической
прочности
d
min
= (
к
З
·
U
раб
)/
Е
пр
где
k
З
-
коэффициент
запаса
.
5.
Определяют
удельную
емкость
конденсатора
,
исходя
из
необходимости
обеспечения
его
электрической
прочности
С
0 эл
= ( 0,0885
·
ε
)/ d
6.
Определяют
удельную
емкость
конденсатора
,
исходя
из
требуемой
точности
его
изготовления
2
0
2
∆
γ
⋅=
L
СС
допС
точн
7.
Выбирают
минимальное
значение
удельной
емкости
С
0
,
учитывая
электриче
-
скую
прочность
и
точность
изготовления
С
0
≤ min {
С
0 эл
,
С
0 точн
}
8.
Определяют
коэффициент
,
учитывающий
краевой
эффект
К
= 1
при
(
С
/ C
0
) ≥ 5
мм
2
К
= 1,3 – 0,06
·
(
С
/ C
0
)
при
1
≤
(
С
/ C
0
) < 5
мм
2
9.
Вычисляют
площадь
верхней
обкладки
S
ВО
= (
С
/ C
0
) ·
К
10.
Определяют
размеры
верхней
обкладки
конденсатора
L
B
= B
B
=
OB
S
Размеры
L
В
и
В
В
округляют
до
величины
,
кратной
шагу
координатной
сетки
.
11.
Определяют
размеры
нижней
обкладки
конденсатора
L
H
=
В
Н
= L
B
+ 2q ,
где
q -
величина
перекрытия
обкладок
.
12.
Определяют
размер
диэлектрика
конденсатора
L
Д
=
В
Д
= L
Н
+ 2f,
где
f -
величина
перекрытия
нижней
обкладки
и
диэлектрика
,
13.
Рассчитывают
площадь
конденсатора
на
подложке
S = S
Д
=
L
Д
·
B
Д
На
основании
полученных
результатов
выбирают
конструкцию
пленочного
конденсатора
(
см
.
рис
. 5.1).
При
необходимости
вместо
квадратной
формы
об
-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- …
- следующая ›
- последняя »
