ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
56
Значения
tgδ
д
для
некоторых
диэлектрических
материалов
приведены
в
таб
-
лице
5.1.
Величина
tgδ
м
может
быть
вычислена
по
формуле
э.мм
r С ωtg δ
=
, ( 5.19 )
где
ω = 2πf
–
круговая
частота
(
f
–
рабочая
частота
,
Гц
);
С
–
емкость
конденсатора
,
Ф
;
r
э.м
–
эквивалентное
сопротивление
потерь
переменному
току
в
обкладках
и
выводах
э.вывэ.обэ.м
rrr
+
=
,
Сопротивление
выводов
ТПК
определяется
выражением
выв фвыв квэ.выв
КRr
=
,
а
эквивалентное
сопротивление
обкладок
ТПК
переменному
току
можно
опре
-
делить
как
(
)
Rr
э.об
32 /
=
, ( 5.20 )
где
R –
сопротивление
одной
обкладки
конденсатора
постоянному
току
(
Ом
),
вычисляемое
по
формуле
об фоб кв
КRR
=
.
Формула
(5.20)
справедлива
,
если
выполняется
условие
0,04
ωRC
≤
,
при
котором
распределение
тока
в
обкладках
подчинено
линейному
закону
.
После
преобразований
формула
(5.18)
может
быть
представлена
в
виде
++
=
выв ф.об ф.об квд
КК
3
2
ωCRtgδ
1
Q
. ( 5.21 )
При
выводе
формулы
(5.21)
предполагается
,
что
обкладки
и
выводы
ТПК
из
-
готовлены
из
одного
материала
,
по
единой
технологии
и
имеют
одинаковую
толщину
,
т
.
е
.
выполняется
условие
выв квоб кв
RR
=
.
В
диапазоне
частот
10–150
МГц
для
определения
добротности
ТПК
емко
-
стью
50–1000
пФ
с
диэлектриком
из
моноокиси
кремния
существует
эмпириче
-
ская
формула
C f
101,2
Q
5
⋅
=
, ( 5.22 )
где
f –
рабочая
частота
,
МГц
,
С
–
емкость
ТПК
,
пФ
.
Она
применима
,
если
удельная
емкость
С
о
находится
в
пределах
500÷1000
пФ
/
см
2
,
а
удельное
сопротивление
материала
обкладок
не
превышает
0,1
Ом
/
квадрат
,
что
характерно
для
алюминиевых
обкладок
,
толщиной
не
менее
300÷500
нм
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 53
- 54
- 55
- 56
- 57
- …
- следующая ›
- последняя »
