ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
63
7. ТЕПЛОВОЙ РАСЧЕТ ГИБРИДНЫХ МИКРОСХЕМ
Тепловой расчет гибридных ИМС ведут, как правило, в три этапа. Сначала
оценивают тепловой режим микросхемы. Если он не обеспечивается, то
определяют требования к разработке топологии. Эти требования связаны с
обеспечением необходимых зон защиты тепловыделяющих элементов. Если
при проектировании топологии не обеспечена необходимая ширина зон защиты
для некоторых элементов, то переходят к третьему этапу – ведут расчет
перегревов этих элементов.
Исходными данными для теплового расчета микросхемы являются: тип
конструкции микросхемы, определяемой ее тепловыми свойствами; толщина
платы δ
П
, м; коэффициент теплопроводности платы λ
П
, Вт/(м·град); толщина
слоя клея (компаунда) между платой и основанием корпуса микросхемы δ
К1
, м;
толщина слоя компаунда между платой и крышкой корпуса микросхемы δ
К2
, м;
коэффициент теплопроводности клея (компаунда) λ
К
, Вт/(м·град); температура
корпуса (основания) микросхемы t
К
, °С; максимально допустимая температура
пленочных резисторов t
R max доп
, °С; максимально допустимая температура
пленочных конденсаторов t
C max доп
, °C максимально допустимая температура
навесных компонентов t
н max доп
, °С; внутреннее тепловое сопротивление
навесного компонента R
T
.
BН
i
,
град/Вт; мощность, рассеиваемая навесным
компонентом, Р
нi
, Вт; ширина навесного компонента l
xнi
, м; длина навесного
компонента l
унi
, м; суммарная удельная мощность, рассеиваемая в микросхеме,
Р
о
, Вт/м
2
.
7.1. Оценка теплового режима микросхемы.
При оценке теплового режима микросхемы определяют вначале тепловое
сопротивление r
Т
и приведенную толщину δ теплопроводящих участков.
Величины r
Т
и δ зависят от типа конструкции микросхемы. Основные типы
конструкций микросхем, определяемые тепловыми свойствами системы
плата - корпус, приведены на рис. 7.1. В данном случае тип I конструкции
характеризуется креплением платы к корпусу методом стеклоспая или пайки,
тип II предусматривает крепление платы к корпусу методом склеивания, в типе
III плата крепится к металлополимерному основанию корпуса с помощью клея
и тип IV предусматривает полную заливку платы компаундом.
В зависимости от типа конструкции микросхемы расчет величин r
Т
и δ ведут
по следующим формулам:
а - для конструкции типа I
п
п
т
λ
δ
r =
[м
2
·град/Вт];
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 60
- 61
- 62
- 63
- 64
- …
- следующая ›
- последняя »
