Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

20
гд е r
k1
и r
k2
- сопротивления тр апецеи д альных о б ластей ко ллекто р а;
)(
1
Эkk
Эk
kк
bbW
II
r
−
−
⋅=
ρ
)(
1
Эkk
Эk
kк
IIW
bb
r
−
−
⋅=
ρ
Рк -удельное сопротивлени е коллекторной области для типового рас-
пр ед еления пр имесей (рис. 1.2) и со ставляет р
к
=0 ,5 Ом·см.
Для ИБТ, изображенного на рис. 1.1, р астекание то к а в коллекторной области
происходит по д действием низкоомного сло я. В это м слу ч ае r
кв
определяется
по формуле ( 1 .1 3 )
21
2
1
кккв
rrr ⋅+=
(1 .1 3)
)()(
1
kЭkЭ
k
rк
WbWI
W
r
+⋅+
⋅=
ρ
)()(
1
kЭkk
k
rк
WbWI
W
r
+⋅+
⋅=
ρ
гд е r
k1
и r
k2
- соо тветственно сопротивления тр ап ецеидально й о б ласти под эмит-
теро м и под ко ллекто р н ым выводом, a W
k
- зазор межд у низкоомным з ахор о-
ненным сло ем и вы вод о м ко ллекто р а.
Величина обедненного сло я база- коллекторного перехода определяется по
формуле
)/()]([
00
qaUUW
КБоб
⋅+⋅=
εε
,
(1.14)
где ε
0
и ε - соо тветств енн о ди эле ктр и ч еская постоянная вакуума и кремния
( ε =12) ; U
кб
- внеш н ее напряжение на переходе ко ллектор- база;
U*
0
-контактная разность потенциа лов на переходе ко лл е кто р - база, ори-
енти ро воч но мо ж е т определяться по формуле ( ); a=d N /d X- градиент ко н ц е н тр а -
ци и пр и месей на переходе, оп р ед еляем ый из графика рис. 1 .2 и 1.3. Емко сть об -
ратно смещенно го перехода определяется по формуле для емко сти плоского кон -
д ен сатор а
об
n
n
W
S
C
⋅
=
εε
0
По это й формуле определяются емко сти переходов ко ллекто р- база C
кб
и ко л-
лекто р - по д ло жка С
кп
. При р асч ете для структуры с изоляцией р -n перехода
след у ет учитывать неодинаковую величину об ед н енн о го сло я на границе под-
ло жк а- эп итаксиальн ый сло й и на бо ко вых границах за сч ет изолирующей
ди ффузи и. Ве л и ч и н а W
об
для плавного п ерехода опр ед еляется по
формуле (1.14 ), а для сту п енч атого как (1 .15 )

Страницы