Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

21
где U
n
- внешнее напряжение на переходе; N - концентрация примесей со сла-
болегированной областью. В сл уч а е изоляции ИБТ с по мо щью SiO
2
(рис. 1.1)
паразитная емкость со с то и т из емкости Скб и емко сти изолирующего слоя SiO
2
(С
из
), которая определяется
где 8 - относительная диэлектрическая постоянная дл я двуокиси кремния равна
4, a d - то л щин а слоя SiO
2
составляет 2 мкм.
Основным параметром ИБ Т в режиме переключения явля ется падение на-
пряжения на коллекторе пр и насыщении и дл я транзистора равно (1.16)
где α
i
- коэффици ент усиления в режиме ОБ при ин версно м вкл ючени и
(α
i
= 0,1), I
k
и I
в
- токи ко л л екто р а и базы. Необ хо д и мо отметить, что в режиме
насыщения величина (I
k
/ (β·I·S) < 1. Эл ектрическая прочность ИБТ определя-
ется электрической прочностью рабочих р-n переходов, а также комбинации
переходов. Напряжение пр об о я определяется величиной концентрации приме-
сей в обедненном слое
N
об
. При расчете электрической прочности перехода
принимают во внимание лишь концентрацию примесей на переходе со сто-
роны слаболегируемой области. Зависимость U
пр к-б
от N
об
для ступенчатого
кремниевого перехода показана на рис. 1.8. Для плавного перехода, ко тор ый
характеризу ется гради енто м концен трации при меси в обедненно м сло е
(а= dN/dX), зависимость пробивного напряжения от вел ич ины «а» по каз ан а на
рис. 1.9. Пробивное напряжение между ко л л екторо м и эмиттером
U
кэ пр
зависит
от внешнего сопротивления в цепи база-эмиттер
R
бЭ
и определяется как
где U
кбпр
- пробивное напряжение перехода ко лл екто р -база.
Посл е вы бор а физической структуры вы бир а ю т ко нф иг ур ац и ю транзистора. По -
скольку характеристики в значительной степени зависят от размеров различных
областей транзистора, ну жн о уч иты вать, что периметр эмиттера определяет то ко -
вые характеристики транзистора, площадь эмиттера - частотные характеристики,
площадь базы - емкость перехода база - ко л л е к то р и распределенное сопротивле-
ние базы, площадь коллектора - емкость п ереход а коллектор - под ло ж ка и
по сл ед о -
вател ьное сопротивление коллектора

Страницы