Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

23
В мал о мо щных (0 ,3< Р <3 мВ т ) и ми кр о мо щн ых (1< Р <<300 мк В т )
цифровых ИМС размеры всех областей транзистора стремятся выполнить мини-
мал ьны ми, на пр ед е ле возможностей техн оло гии , хо тя эт о мо ж е т пр и вес ти к сниже-
нию выхода годных изделий.
Обычно анализируют несколько типо вых ко нф игу р ац ий транзисторов, ко торы е
представляют соб ой банк дан ных для биполярных транзисторов (пр ил ожени е 1 ). На
р и су н ках сп л о шны ми линиями обозначены гр а ни цы диффузионных областей, а
пунктирными - гр а ни цы вскр ытия окон в пл ен ке двуокиси кремния дл я п о сл еду ю-
щего формирования ме т алл ич еских контакто в. Дл я микромощных схем наиболее
пригодны по ло ско вы е конструкции транзисторов (приложение 1): для од н о -
эмиттерных (рис
. П1, а-ж), много эмиттер ных (рис. П1, з-л) и с общим ко лл екто-
ром (рис. П1,м).
Взаимное расположение контактов к р а зл ич ны м областям тр ан з и ст о р но й струк-
туры выб ир а ю т в зависимости от конкретного топ оло г ич е с ко го рисунка микросхе-
мы и удо б ства расположения вы в о до в транзистора. Есл и необходимо пол уч ит ь ма-
лое сопротивление коллектора, пр и меняют тр ан зи с то ры с увеличенной ко нт а к т но й
областью к коллектору (рис. П1, б, г-ж). Для получения мало го сопротивления ба-
зы и высо кого
коэффициента усиления используют конструкции с двумя
ко нтактами к базовой области (ри с. П1, ж). Многоэмиттерные транзисторы
(рис. П1, з-к) пр и мен яют во входных цепях схем транзисторно-транзисторной ло -
гики (ТТЛ). Конструкция, показанная на рис. П1, м, используется пр и формирова-
нии двух (ил и бо л ее) тр ан зисторо в, имеющих од инако вый потенциал на колл екто -
ре.
Тран зисторы ср едн ей (3< Р <25 мВ т ) и большой (25< Р <<250мВ т )
мо щно стей работают в режимах высоких пло тно ст ей эми ттерного то ка
(2 00 -300 0 А/см
2
). По э то му в мо щ н ы х сх е мах цел есооб раз ны уз кие эмиттеры с
большим периметром.
Топо логию мо щ но го транзистора разрабатывают так, чтобы об есп ечи ть макси-
мал ьно е отношение периметра эмиттера к его пл о щад и. Это зн ач и т ел ьн о увеличи-
вает активную область тр ан з и с тор а и обеспечивает достаточно бо л ьшо й рабочий
ток без увеличения размеров всей структуры.

Страницы