Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 26 стр.

UptoLike

Составители: 

25
Рис. 1.10. Конструкции полупроводниковых резисторов: а - диффузионного на
базовом слое; б - диффузионного на эмиттерном слое; в - пинч-резистора;
г, д - эпитаксиального (соответственно об ыч н о го эпитаксиального и
пинч-резистора); е - ионно-легированного
Рис. 1.11. Характер и сти ка зависимости подвижности дырок от концентрации
примеси в кремнии