ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
25
Рис. 1.10. Конструкции полупроводниковых резисторов: а - диффузионного на
базовом слое; б - диффузионного на эмиттерном слое; в - пинч-резистора;
г, д - эпитаксиального (соответственно об ыч н о го эпитаксиального и
пинч-резистора); е - ионно-легированного
Рис. 1.11. Характер и сти ка зависимости подвижности дырок от концентрации
примеси в кремнии
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »