ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
37
37
лярных транзисторах применяют р-n переходы. Такие конденсаторы мо гут рабо-
тать только пр и одной полярности приложенного напряжения (обратном напря-
жении на р-n переходе). Добротность мал а как на низких частотах (из-за влияния
обратного сопротивления р-n перехода), так и на вы с о ки х (сопротивления об кл адок
больше, чем в структуре рис. 1.16, а).
1.6. Интегральные полупроводниковые диоды
Банк данных диодн ых ст ру к ту р, вы пол н енных по пл ан арно -эпитаксиальной
тех нол огии, представл ен на рис. 1.1 7 и ри с. 1.18 .
Рис. 1.17. Банк данных о топ ол ог ии ин тегр ал ьн ых диодов на переходе Б-К (а, б)
Диоды, сфор миро ван ные на основе перехода эмиттер - база (рис. 1.18, в), харак-
теризуются наименьшими значениями обратного тока за сч е т самой мало й пл о щад и
и самой узкой области объемн ого заряда.
Обычно структурам ди одо в соответству-
ют обратные т
о
пределах (0,1 - 50,0) мА.
Наименьшей паразитной емкостью
(~1,2пФ ) также обладают диодные
структуры на основе перехода эмиттер -
база. Дл я др угих структур значение па-
разитной емкости порядка 3 пФ.
Быстродействие диодов кроме пара-
зитной емкости характеризуется вр еме-
нем восстановления обратного сопро-
тивления, т. е. временем переключения
диода из открытого состояния в за-
кр ыто е. Он о минимал ьн о (около 10 нс)
для перехода эмиттер - баз а при условии, что пер еход кол л ектор - база замкнут,
так ка к при такой диодной структуре заряд накапливается только в базовом
слое
. В других стру ктур ах заряд накапливается не только в базе, но и в коллекторе
и вре мя восстано вления обратного сопротивл ения составл яет 50-100 нс.
Рис. 1.18. Банк данных о топологии
д
и
од о
в н
а
п
ере
х
оде
Б
-
Э
(
в
)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
