Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 42 стр.

UptoLike

Составители: 

41
ду истоком и стоком, т.е. образуется канал . Этот параметр имеет место только
для МДП транзисторов с индуцированным кан ало м;
Рис. 2.1. Конструкция МДП транзистора: n - канальных (а, б); р - канальных
(в, г); с индуцируемым канал о м (а, в); со встроенным кан ало м (б, г); И - исток,
С - сток; 3 - затвор; К - канал ; П - по д ло ж ка
И 3 С
Рис. 2.2. Конструкция р - канального МДП транзистора