Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 44 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

43
4) вход но е со про т и влени е R
BX
, МО м;
5)паразитные межэлектро дн ые емкости С
зп
С
зи
, С
зс
, С
сп
, С
ип
, С
ис
, пФ;
6)
крутизна сто ко - затворной характеристики
7)
коэффициент усиления
8)
сопротивление кан ала
9)
уд ельная или нормированная крутизна
гд е ц - по д ви жно сть но си т елей заряда в кан але; С
0 З
=
εε
0µ
/d - у д ельн ая
емко сть затвора.
ε- относительная ди электр ич еская проницаемость матери ала подзатворного
ди электр и ка;
Ε
-
электрич еская п осто янная вакуу ма.
Параметры (2.1) - (2.3) взаи мо связаны:
K = S*R
k
(2.5)
10)
τ
S
- по сто янн ая вр емени кан ала, характеризующая инерционность R-C
системы τ
S
= R
k
· C
З
, где C
З
- по лн а я емко сть затвора, C
З
=
L · Z
·ε
0
ε / d ;
10) f
гр
- граничная ч асто та, характеризующая п р ед ельные ч асто тн ые во змо ж-
но ст и тр ан зистор а.
О б ласть 1 выходной ВА Х (рис.2 .3 ) назы вает ся активной об ла стью работы
тр ан зистор а, о б ласть 2 - об ласть ю насыщ ения, о б ласть 3 - о б ластью пробоя.
Для о б ласти 1 ВА Х запишется ка к
Для о б ласти 2 ВА Х о п исывается уравнением
Зн ач ени е крутизны S для об ласти 2 ВА Х

Страницы