Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 45 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

44
Отс юда следует взаимосвязь крутизны (2.8) и н ор м ир ова н но й крутизны (2.4):
Из ( 2 .9) следует, что в от личие от нормированной крутизны b крут изна S за в и-
сит от электрического реж има ра бот ы тра нзист ора (от J
c
). Выраже ние для ко-
эффициента усиления К можно получит ь, выразив К чере з кру т из ну и емкость
затвора
где е - за ря д электрона, а N
д
- концентрация донорной примеси в подложке.
Со прот ив ление ка на ла дл я област и 2 ВА Х
Ис пользуя по нят ие τ
S
, по лу ч им выраже ние для постоянной времени транзи-
ст ора
Зная Τ
S
, мож но вычислить г ра н ич ну ю част оту транзистора:
Величина порогового на пр яжен ия U
0
за висит от материала и т олщины по д за-
творного диэлектрика d, от материала и степени легирования подлож ки (Nд,
для р-ка нал ь но го МДП-тра нзист ора ). Эт а за висимость по ка за на на рис. 2.5 для
наиболе е ха ракт ер но го слу чая, когда диэлектриком служ ит SiO2, а мате риал ом
подложки являет ся кре мний. Ве л ич и на порогового на пр яже ни я зав ис ит также
от кристаллографической ор ие нта ц ии поверхност и п олу пр ов одник ов о й пла-
ст ины, в которой выполне н МДП транзистор. Чаще вс его исп ол ьзу ют пл а ст ин ы
с ор ие нт а цие й (100). Именно для этого случа я и приведены гра ф ик и зав ис им о-
ст и U
0
(d, N
д
) на рис . 2. 5.
При констру ировании МДП т ра нзист ор ов зад аютс я па ра мет рам и S, τ
s
или
f
гp
. Далее на хо дят конструкторские параметры транзистора (Z, L, d). Пасс ивные
элемент ы в МДП - ИС выполняются на ба зе МДП структур ( емкост ные и ре з и-
ст ивные элеме нт ы). Та к ие МДП транзисторы на з ы ваю тся нагрузочными, а
МДП транзисторы, работающие в акт ив ном ре жиме , являютс я у с ил ит ел ь-
ными приборами и могут быть ис п ол ьз ов а ны в ка чест ве ключевых схем.

Страницы