Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 46 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

45
2.2. Резисторы на осн ов е МДП тр ан зи стор а
В ИМС на ос нове МДП транзисторов в качест ве рез ист ор ов об ычн о ис по ль-
зу ются са ми МДП транзисторы. Со п р от ив ле ни е слоев диффу зионных облас-
те й в р-ка нал ьных тра нзисторах R
S
об ычно ра вно 50-150 Ом/, в то время как
удельное сопротивление слое в ка нал а составляет десятки килоом на квад-
рат. Эт о позволяет су щест ве нно уменьшить площадь, за нимаему ю ре з ист о-
ром.
При использовании таких резисторов МДП транзистор включается по схе-
ме с общим стоком. На ст оке поддерживается напряжение ЕС, а на затво-
ре E
3
- Различают два случая: |E
3
-U
0
|≤ |Е
С
| и |E
3
-U
0
|> |Е
С
|. В первом
МДП транзистор ра б о тае т в пологой об лас т и ВА Х , во втором в - кру -
той. Ис поль зуя выражения (2.13) и (2.14),
b=ε
д
·ε
0
·µ
р
·Z/(Ld
д
) ,
(2.14 )
а также выражение для дифференциального сопротивления тр анзистора R
i
на
крутом участке
R
i
=[b·|U
зи
-
U
0
-
U
сн
|]
-1
(2 . 15 )
и выражение для со прот ив ления кана ла R
0
пр и | U
си
|<<| U
зи
- U
0
|
R
0
=[b·|U
зн
-U
0
|]
-1
(2.16)
получаем величины диффере нциального со пр от ив ле ния МДП рез ист ора (R
д
):
для пологого участка ВАХ
R
дп
= L[Z·µ·С
0д
· |U
0
|· (U
си
/ U
0
-1)]
-1
(2.17,а)
для крутого участка ВАХ
R
дп
= L[Z·µ·С
0д
· |U
0
|· (U
сн
/ U
0
-1)]
-1
,
(2.17,б )
где ∆Е = E
З
-E
С
.
Для у величения R
д
значение L/Z должно находиться в пределах зна-
чений (1-10). Из (2.17) видно, что выражение (б) от личает ся от (а) сдви-
гом характеристики пр и (U
СИ
/U
0
) = 0 на величину ∆Е / U
0
. Из ( 2 .1 7) та кже
следует нел и не й на я зав ис и мо сть сопрот ивлений от на п ряж е н ия . Одна к о эт от
не достат ок, ес ли он оказывает отрицательное влияние, ис правляется схемо-
технически.

Страницы