Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 48 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

47
гать в отдельных изолированных областях, т. е. все коллекторные области,
имеющие различные потенциалы, до л жны бы ть изолированы;
8) для уменьшения паразитной емкости между ко н так тными площад ка ми и
подложкой, а также для защиты от короткого замыкания в случае нарушения
целостности пл ен ки окисла по д ни ми при приварке проволочных выво дов под
кажд о й ко нтактной пл о ща д кой создают изолированную область, за исключени-
ем ко н тактны х площадок с наиболее отрицательным потенциалом;
9)
количество изолированных областей для диодов мо жет сильно изменяться в
зависимости от типа диодов и способов их включения. Если в кач естве диодов
используются переходы база - ко лл ектор , то для каждо го диода требуется от-
дельная изолированная область, так ка к каждый като д (коллекторная область
n-типа) должен иметь отдельный выво д. Есл и в качестве диодов используются
переходы эмиттер - база, то все диоды мо жно поместить в одной изолирован-
ной области. При этом все катод ы диодов (эмиттерные области) сформированы
отдельно в об щем аноде (базовой области ) Аноды диод о в с по мо щью соедини-
тельной металлизации закорачивают на изолированную (коллекторную) об-
ласть;
10 ) для диффузионных конденсаторов требуются отдельные изолированные об-
ласти. Исключение составляют случаи, ко гд а один из выво дов конденсатора
является общим с другой изолированной обл астью;
11 )
для ди фф у зи о нных перемычек всегда требуются отдельные изолированные
области.
3.2. Пра вила размещения элементов ИМС на площади кристалла
После определения количества изолированных об л астей приступают к их
размещению в нужном порядке, размещению элементов, соединению элемен-
тов межд у со бо й и с ко нтактн ыми пл о ща д ка ми , руководствуясь следующими
правилами:
1) при размещении элементов ИМС и выполнении зазоров межд у ни ми необхо-
димо строго выполнять ограничения, соответствующие типовому технологиче-
скому процессу;
2) резисторы, у которых нужно точно выдерживать отношение номин алов,
должны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и располагаться рядом
друг с другом. Это относится и к другим элементам ИМС, у ко тор ых требуется
обеспечить точное соотношение их характеристик;
3)
резисторы с большой мо щно стью не следует располагать вблизи активных
элементов;
4)
диффузионные резисторы мо жно пересекать проводящей дорожкой поверх
слоя окисла кремния, по кр ы вающе г о резистор;
5)
форма и место расположения конденсаторов не являются критичными;
6)
соединения, используемые для вво д а питания, заземления, вход но й и вых од-
ной вывод ы необходимо выпо лнять в вид е широких и коротких полосок, что
уменьшает паразитные сопротивления;

Страницы