Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 50 стр.

UptoLike

Составители: 

49
4) рассредоточить элементы, на ко тор ых рассеиваются большие мо щн о сти ;
5)
расположить элементы с наименьшими размерами и с наименьшими запа-
сами на совмещение в центре эскиза топологии;
6)
сократить число изолированных областей и уменьшить периме тр кажд о й
изолированной области.
На основе эскиза разрабатывают пр ед вар и тел ьны й вариант топологии, ко -
торый вычер ч ивают на миллиметровой бумаге в выбранном масштабе, обыч-
но 100:1 или 200:1 (выб ир ают масштабы, кр атные 100). Топо логию проекти-
руют в прямоугольной системе координат. Каждый элемент топологии пр ед -
ставляет собой замкнутую фигуру со сторонами, состоящими из
отрезков
прямых линий, параллельных осям координат. Придание элементам форм в
вид е отрезков прямых линий, не параллельных осям координат, до пу сти мо
только в тех случаях, ко гда это приводит к значительному упрощению формы
элемента. Например, если форма элемента состоит из ломаных прямых, со-
ставленных в виде «ступенек» с мел ким шаго м, рекомендуется заменить их
одной прямой линией. Координаты всех то ч е к, расположенных в вершинах
углов ло ман ых линий, должны бы ть кратны шагу ко ор д инатной сетки.
При вычерчивании чертежа топологии на мил л иметро во й бу маге принимают
минимальный шаг координатной сетки, равный 0,5 мм. Можно выб р ать другой
шаг, но он должен бы ть кр атн ым минимальному шагу . Действительный (на
кристалле) размер шага координатной сетки зависит от выбр анного масштаба
топологии.
При вычер ч ивании общего вид а то п ол о ги и рекомендуется использовать ли-
нии разного цвета для различных слоев ИМС: эмиттерного - черный, базового -
красный, разделительного (колл екторно го) - зеленый, вертикального - черный
пунктирный, скрытого - зеленый пу н кт и р н ый , металлизации - желтый, окна в
окисле для ко нтакта к элементам - синий пунктирный, окна в пассивирующем
(защитном) окисле - синий сп ло шн о й.
В процессе вычерчивания топологии дл я получения оптимальной компонов-
ки возможно изменение геометрии пассивных элементов, например пропор-
циональное увеличение дл и ны и ширины резисторов ил и их многократный из-
гиб, позволяющие провести над резистором по ло ски металлической разводки
или получить бо л ее пл о тн у ю упаковку элементов.
При изменении фор мы пассивных элементов в процессе их размещения про-
водят корректировочные расчеты. При проектировании слоя металлизации
размеры ко нтактных площадок и проводников следует брать минимально до -
пустимыми, а расстояния между ними - максимал ьно возможными.
После выб ора расположения эл ементов и ко н тактн ых площадок, создания
рисунка разводки необходимо разместить на топологии фигуры совмещения,
тестовые элементы (транзисторы, резисторы и т. д.- приборы, предназначенные
для замера электрических параметров отдельных элементов схемы), реперные
знаки. Фигуры совмещения мо гу т иметь любую форму ,чаще всего квад р ат или
крест, причем следу ет учесть, что на каждом
фотошаблоне, кро ме первого и по -
следнего, имеются две фигуры, расположенные рядом друг с другом. Меньшая