Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 51 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

50
фигура предназначена для совмещения с предыдущей технологической опера-
цией, а бо л ьшая - с последующей. На первом фотошаблоне расположена то л ько
большая фи г ур а, а на последнем - только мен ьшая.
При разработке топологии важно по лу чи ть минимальную площадь кр исталл а
ИМС. При размерах стор он ы кристалла до 1 мм ее вел ич ину выб ир ают кр атн ой
0,05 мм, а при размерах стороны кр исталл а 1-2 мм -кр атно й 0,1мм.
Есл и после уплотненного размещения всех элементов на кр истал л е выбр ан-
ного размера осталась незанятая площадь, рекомендуется перейти на мен ьший
размер кристалла. Есл и этот переход невозможен, то незанятую площадь кр и-
сталла мо жно использовать для внесения в топологию изменений, направлен-
ных на снижение требований к тех нол оги и изготовления полупроводниковой
ИМС. Например, мо жно увеличить размеры ко нтактн ых
площадок и расстоя-
ния межд у ко нтактными площадками, шир ину проводников и расстояние меж-
ду ними, по возможности выпрямить эл ементы разводки, резисторы, границы
изолированных областей.
В заключение проводят контрольно-проверочные расчеты полученной то п о -
логии микросхемы, вкл юч ающие в себя оценку теплового режима и паразит-
ных связей.
4. ГЕРМЕТИЗАЦИЯ П ОЛУ П РОВОД НИК ОВЫХ ИМС
4.1. Требования к защите интегральных микросхем
В процессе хранения и эксплуатации ИМС подвергаются внешним воздейст-
виям, которые обусловлены чаще всего изменением температур ы или вл ажно -
сти окружающей среды, у величением ил и уменьшением атмосферного давления,
присутствием активных веществ в окружающей а т мо сф ер е , наличием вибраций,
ударов и др уги ми факторами. Дл я защиты микросхем от таких воздействий пре-
дусматривается ко мпл екс специальных мер . Наиболее широкое
распростране-
ние в настоя щее вр емя получили два способа защиты микросхем: бескорпус-
ная защита и корпусная (с использованием различных типов корпусов).
Выбор конструктивно-технологического варианта исполнения бескорпусной
защиты определяется в первую очередь назначением и требованиями, пр ед ъ -
являемыми к з ащи ща емо й микросхеме. Есл и бескорпусная микросхема вы-
пускает ся в вид е самостоятел ьного изделия, то её защита осущес твл яет ся
с учетом всего ко мпл екса климатических механических воздействий, преду-
смотренных техническими условиями на данную схему.
Особые требо вани я в случа е бескорпусной защиты предъ являются к
химической чистоте и тер мостой кости гер метизирующих покрытий, к их
физико-механическим свойствам, влагопоглощению. Кроме того, герметизирую-
щие матер иал ы должны обеспечивать не то л ь ко высокую жесткость создавае-
мо й конструкции, но и устойчивость ее к различным видам воздействий.
Есл и в процессе эксплуатации или хранения микросхем требуется защита,

Страницы