Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 49 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

48
7) для улучшения развязки межд у изолированными областями ко нтакт к под-
ложке следует р асполагать рядом с мо щны м тр анзистором или как мо жн о бли-
же к вх оду или выходу схемы;
8)
число внешних выводов в схеме, а также порядок расположения и обозначе-
ния ко н тактных площадок выводо в ИМС на кр исталл е должны соответствовать
выводам ко рпу са;
9)
ко мму тация в ИМС должна иметь минимальное количество пересечений и
минимальную длину проводящих дорожек. Если полностью избежать пересе-
чений не удается, их мо жно осуществить, используя о б кл ад ки конденсаторов,
формируя дополнительные ко н такты к ко л л екто р ным областям транзисторов,
применяя диф фу зио нн ы е перемычки и, наконец, создавая дополнительный слой
изоляции между пересекающимися проводниками;
10 ) первую ко нтактну ю пл о щад ку располагают в
нижнем левом углу кр исталл а
и отличают от остальных по ее положению относительно фигур совмещения
или заранее оговоренных элементов топологии. Нумерацию остальных ко н-
тактных площадок проводят против часовой стрелки. Контактные площадки
располагают в зависимости от типа выб ранно го ко рпу са по периметру кристал -
ла или по двум противоположным его стор онам;
И) фигуры совмещения располагают одной-двумя группами на любом свобод-
ном месте кр исталла;
12) при разработке аналоговых ИМС элементы входных дифференциальных
кас кад о в должны иметь одинако вую топологию и быть одинаково
ориентированными в плоскости кристалла. Для уменьшения тепловой связи
входные и выхо дные каскады должны быть макси м ал ьно удалены, а для
уменьшения высокочастотной связи через по дл о ж ку ко нтакт к ней следует
осуществлять в двух точках - вблизи входных и вых одных
каскадов.
3.3. Рекомендации по разработке эскиза то по ло гии
Для обеспечения разработки эскиза топологии рекомендуется с самого нача-
ла вычер тить принципиальную электрическую схему так, чтобы ее выводы бы-
ли расположены в необходимой последовательности. Каждая линия, пересе-
кающая резистор на принципиальной электрической схеме, будет соответство-
вать металлизированной дорожке, пересекающей диффузионный резистор по
окислу на топологической схеме.
На этапе эс кизного проектирования топологии необходимо предусмотреть
решение следующих задач:
1) расположить как мо жн о большее число резисторов в одной изолированной
области;
2)
подать наибольший потенциал на изолированную область, гд е расположены
резисторы;
3)
подать наиболее отрицательный потенциал на подложку вб лизи мо щн о го
транзистора выходного каскада;

Страницы