Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 127 стр.

       меньшие габариты, относительная
       дешевизна, долговечность, меха-
       ническая прочность (но – боязнь
       перегрева!!!).
             О влиянии повышения тем-
       пературы на p-n-переход говори-
       лось выше. Возможен и пробой p-
       n-перехода при увеличении обрат-
       ного поля. Хотя это и сужает об-
       ласть использования p-n-перехода
       в качестве выпрямителя, вместе с
       тем, его же можно использовать в
       качестве физической основы рабо-
       ты полупроводникового прибора –
       стабилитрона, служащего для ста-
       билизации (ограничения верхнего
       значения) напряжения. На рис. 51
       участок ас соответствует пробою
       p-n-перехода.                      Рис. 51.

         § 9. Туннельный диод

             В туннельных диодах (ТД)
       концентрация как акцепторных,
       так и донорных примесей в по-
       лупроводниках около p-n- пере-
       хода в тысячи раз больше, чем в
       обычных диодах ~ 1019 см −3 . В
       результате этого энергетические
       уровни в таких участках оказы-
       ваются в одной части близкими к
       энергетическому уровню акцеп-
       торной примеси, а в другой – к
       донорной. Если сильно легиро-
       ванный участок имеет ширину,
       близкую к ширине p-n- перехода
                                            Рис. 52.
       в обычных диодах (порядка 0.02

                                                         127




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com